La comunidad científica espera poder controlar la gran movilidad que experimentan los electrones en el grafeno, para poder aprovechar este material en el diseño de dispositivos electrónicos flexibles de bajo costo.
Un equipo de investigación formado por especialistas del CEA, el CNRS y la Universidad de Lille 1, en Francia estas tres instituciones, así como la Universidad del Noroeste en Estados Unidos, han ideado un novedoso proceso para fabricar transistores que combinen flexibilidad y movilidad de los electrones y sean capaces de funcionar a muy altas frecuencias.
El proceso de fabricación se vale de una forma de grafeno en una disolución compatible con las técnicas de impresión.
El proceso de fabricación se vale de una forma de grafeno en una disolución compatible con las técnicas de impresión. (Foto: © CEA)
La nueva técnica de fabricación permite obtener transistores con frecuencias muy altas, del orden de los 8 GHz, un nivel nunca antes obtenido en la electrónica orgánica.
Los resultados de las pruebas indican que la "tinta conductora" de grafeno es un material muy competitivo para fabricar dispositivos electrónicos flexibles en la gama de las altas frecuencias, una gama que se encuentra completamente fuera del alcance de los semiconductores orgánicos convencionales.
Esta nueva generación de transistores ofrece excelentes perspectivas para muchas aplicaciones, incluyendo pantallas flexibles, (plegables o enrollables) y dispositivos electrónicos incorporables en prendas de vestir, cortinas, alfombras u otros enseres cotidianos que nunca han acogido componentes electrónicos de manera normal.
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